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厂商型号

JANTXV1N6160A 

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 42.6V 1.5KW 2-Pin Case G

内部编号

253-JANTXV1N6160A

生产厂商

microsemi

Microsemi

#1

数量:37
37+¥163.444
100+¥158.197
500+¥157.622
最小起订金额:¥3000
美国纽约
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JANTXV1N6160A产品详细规格

规格书 JANTXV1N6160A datasheet 规格书
XPackage 2G
包装 2Case G
配置 Single
方向类型 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散 1500 W
最大峰值脉冲电流 19.5 A
最大反向漏泄电流 5 uA
最大钳位电压 77 V
最大反向防区外电压 42.6 V
最小击穿电压 53.2 V
测试电流 20 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
供应商封装形式 Case G
标准包装名称 Case G
每个芯片的元件数 1
最高工作温度 175
最小击穿电压 53.2
最大反向漏泄电流 5
最大钳位电压 77
Maximum Reverse Stand-Off Voltage 42.6
最大峰值脉冲电流 19.5
筛选等级 Military
最低工作温度 -55
测试电流 20
引脚数 2
峰值脉冲功率耗散 1500
封装 Bulk
电压 - 钳位(最大) @ IPP 77V
安装类型 Through Hole
双向通道数 1
封装/外壳 G, Axial
供应商设备封装 C, Axial
电压 - 击穿(最小值) 53.2V
电压 - 反向隔离(标准值) 42.6V
应用范围 General Purpose
电源线保护 No
功率 - 峰值脉冲 1500W (1.5kW)
类型 Zener
其他名称 1086-2974
电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS ) 19.5A
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量 100
品牌 Microsemi
RoHS No

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